polysilicon บริสุทธิ์แค่ไหน? ‌

ความต้องการความบริสุทธิ์สำหรับ polysilicon นั้นสูงมาก แต่แตกต่างกันอย่างมากขึ้นอยู่กับการใช้งานสุดท้าย:

เกรดอิเล็กทรอนิกส์ (สำหรับเซมิคอนดักเตอร์): ‌ นี่คือระดับความบริสุทธิ์สูงสุดโดยทั่วไปจะต้องใช้ ‌99.9999999% (9N) หรือสูงกว่าความบริสุทธิ์ สิ่งเจือปนจะต้องลดลงเป็นชิ้นส่วนต่อพันล้าน (PPB) หรือแม้แต่ชิ้นส่วนต่อล้านล้าน (ppt) แม้แต่ความเข้มข้นของสารเจือปนเช่นโบรอน, ฟอสฟอรัสหรือโลหะสามารถลดคุณสมบัติทางไฟฟ้าของเวเฟอร์ซิลิกอนแบบ monocrystalline และประสิทธิภาพของวงจรรวมที่ประดิษฐ์ขึ้นมาได้ กระบวนการอบแห้งที่เข้มงวด (เช่น flashdry) เป็นสิ่งสำคัญหลังการทำให้บริสุทธิ์เพื่อป้องกันการเกิดออกซิเดชันของพื้นผิวและการปนเปื้อนก่อนการเจริญเติบโตของคริสตัล
เกรดพลังงานแสงอาทิตย์ (สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์): ‌ ในขณะที่ยังคงบริสุทธิ์มากข้อกำหนดนั้นเข้มงวดน้อยกว่าเกรดอิเล็กทรอนิกส์เล็กน้อยโดยทั่วไปประมาณ ‌99.9999% (6n) ความบริสุทธิ์ ‌ ความคลาดเคลื่อนสำหรับสิ่งสกปรกบางอย่างโดยเฉพาะอย่างยิ่งสารเจือปนที่สามารถเป็นประโยชน์สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ (เช่นโบรอนหรือฟอสฟอรัส) สูงกว่า ความก้าวหน้าในเทคโนโลยีการทำให้บริสุทธิ์ได้ลดต้นทุนและการใช้พลังงานของ polysilicon เกรดพลังงานแสงอาทิตย์ลงอย่างมากในขณะที่รักษาคุณภาพที่เพียงพอ

กระบวนการทำให้บริสุทธิ์ (เช่นการกลั่นของคลอโรซิเลเนสการสะสมไอสารเคมีในกระบวนการซีเมนส์การตกผลึก/การตัดขั้นสูง) ได้รับการออกแบบมาโดยเฉพาะเพื่อให้ได้ระดับความบริสุทธิ์พิเศษเหล่านี้จากวัตถุดิบ MGS ที่ค่อนข้างไม่บริสุทธิ์